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          第二研究所新建SiC單晶襯底材料制備產(chǎn)業(yè)化項目環(huán)評公示

           
          加入日期 2017年07月13日 所屬地區(qū) 山西省 進展階段 環(huán)評公示

          正文內(nèi)容

          項目名稱:第二研究所新建SiC單晶襯底材料制備產(chǎn)業(yè)化項目 

          項目概況:第二研究所新建SiC單晶襯底材料制備產(chǎn)業(yè)化項目,建設地點位于中國電子科技集團公司第二研究所現(xiàn)有廠區(qū) 內(nèi),利用現(xiàn)有 4#研發(fā)檢測中心大樓 3 層、4 層布置 SiC 粉料 合成、晶體生長生產(chǎn)線;同時,利用現(xiàn)有生產(chǎn)保障廠房布置 SiC 設備生產(chǎn)線。項目建設不新增二所占地面積。年產(chǎn) 100 臺(套)SiC 關鍵設備(SiC 單晶生長爐);年產(chǎn)高 純 SiC 粉料 10 噸;年產(chǎn) 6 英寸 N 型 SiC 單晶襯底 5 萬片;年 產(chǎn) 4 英寸高純半絕緣 SiC 單晶襯底 1 萬片。工程投資 46760 萬元, 職工人數(shù) 52 人。本項目預計 2017 年 8 月開工,在 2018 年 6 月投產(chǎn)。 

          本項目主要建設內(nèi)容一覽表 
          項目組成 內(nèi)容、規(guī)模 備注 
          主體工程 
          SiC 設備生產(chǎn)線 
          本項目擬利用現(xiàn)有生產(chǎn)保障廠房(占地 6660m2),本項目僅新 
          增立式、臥式加工中心等 20 余臺套設備,其余機加工設備為產(chǎn) 
          品制造部搬至生產(chǎn)保障廠房,本項目設備布置在生產(chǎn)保障廠房 
          內(nèi)的設備裝調(diào)區(qū),以實現(xiàn) SiC 設備加工、部件組裝、調(diào)試的連 
          續(xù)化生產(chǎn)線。 依托現(xiàn) 
          有廠房,新增設 
          SiC 粉料合 施設備 
          成、晶體生長生產(chǎn)線 
          依托現(xiàn)有 4#研發(fā)檢測中心大樓 3、4 層廠房(單層建筑面積 
          1500m2,合計占地面積 3000m2)布置 SiC 粉料合成、晶體生長 
          生產(chǎn)線。按功能分為粉料合成區(qū)、晶體生長區(qū)、擴展實驗區(qū)和 
          材料儲備區(qū)等,其中粉料合成區(qū)主要布置 SiC 單晶生長爐 30 臺; 
          晶體生長區(qū)主要布置 SiC 單晶生長爐 70 臺以及晶體切割、研磨、 
          清洗加工設備;擴展實驗區(qū)主要布置相關測試儀器,對產(chǎn)品 SiC 
          粉料、SiC 單晶襯底晶體性能進行檢驗;材料儲備區(qū)主要作為原 
          輔料、產(chǎn)品儲存使用。 
          輔助工程 
          純水制備 
          新建 1 套 1.0m3/h 高純水制備系統(tǒng),采用反滲透工藝,布置在 4# 
          研發(fā)檢測中心 3 層輔助區(qū)。新建 
          循環(huán)冷卻水系統(tǒng) 
          新建 1 套 15m3/h 循環(huán)冷卻水系統(tǒng)(含 1 臺機力通風冷卻塔和 3 
          臺循環(huán)水),循環(huán)水量 18m3/h,冷卻水進口溫度 28℃,出口 
          溫度 35℃。冷卻塔布置在研發(fā)檢測中心北側(cè)。新建 
          空壓機房 
          利用空壓站現(xiàn)有 2 臺無油旋齒空氣壓縮機及配套的冷凍式干燥 
          機,過濾器和儲氣罐,可滿足本項目使用需求。利舊 
          通風空調(diào) 
          各廠房設通風系統(tǒng),換氣次數(shù)約 6~10 次/小時。此外,研發(fā)中 
          心廠房新建 1 套中央空調(diào),空調(diào)參數(shù)≤28°C,空調(diào)冷卻水循環(huán) 
          同本工程循環(huán)冷卻水系統(tǒng)共用,循環(huán)水為 2 臺管道離心泵。新建 
          環(huán)保工程 
          廢氣 
          處理設施 
          在研發(fā)檢測中心 3 層晶體加工區(qū)的硫酸、氫氟酸和乙醇清洗槽上方 
          設一套集氣罩(捕集效果為 100%),清洗槽揮發(fā)廢氣經(jīng)集氣罩和 
          負壓抽風管道至 1 座新建的酸霧吸收塔處理(吸收劑為 NaOH)。 
          吸收塔對氫氟酸和硫酸霧的去除效率為 90%,凈化后的廢氣通過 
          一根 15m 高的排氣筒排放,系統(tǒng)處理風量為 2000m3/h。新建 
          廢水處理設施 
          本項目 SiC 晶體清洗廢水、酸霧吸收塔廢水送 1 座新建廢水處理站 
          處理。廢水處理站設計能力 16m3/d,采用 PH 調(diào)節(jié)池+Ca(OH)2 
          中和+絮凝沉淀處理工藝,處理后的廢水達標排入市政污水管網(wǎng)。新建 
          危廢暫存間 
          依托二所現(xiàn)有危廢暫存間,對本項目產(chǎn)生的危險廢物進行分類 
          收集儲存,并委托有資質(zhì)單位妥善處置。利舊 
          依托工程 
          辦公生活 本項目辦公、生活設施均依托現(xiàn)有工程設施。利舊 
          供電 依托廠區(qū)現(xiàn)有的變電室,本項目新增配電設施。 
          供暖 利用廠區(qū)現(xiàn)有集中供熱管網(wǎng)接入。 
          供水 依托和平南路市政供水管網(wǎng)。 
          排水 
          依托廠區(qū)現(xiàn)有的污水收集管道,處理后的廢水排入和平南路市 
          政污水管網(wǎng),最終進入晉陽污水處理廠處理。 

          本工程主要生產(chǎn)設備一覽表 
          序號 車間 生產(chǎn)工序 設備名稱 型號及參數(shù)數(shù)量(臺/套)備注 
          1生產(chǎn)保障廠房 
          機加工及設備組裝 
          移動式數(shù)控平面磨床 SG4080NC2 1 新增 
          2 立式加工中心 MXR-460V 4 新增 
          3 數(shù)控車床 GS200/66plus 1 新增 
          4 立式數(shù)控車床 MTS600L 1 新增 
          5 數(shù)控車床 QSM300/1500 1 新增 
          6 臥式加工中心 MAR-630H 1 新增 
          7 立式加工中心 MXR-560V 1 新增 
          8 加工中心 VTC-200BN 4 新增 
          9 車削加工中心 GS200M 1 新增 
          10 龍門加工中心 GMC1530r1 1 新增 
          11 高速精密車床 HPL 2 新增 
          12 普通數(shù)顯車床 BJ1630GD 1 新增 
          13 普通數(shù)顯車床 J1CX616 1 新增 
          14 數(shù)控板料折彎機 PBB-110/3100 1 利用 
          產(chǎn)品制造部現(xiàn)有設備 
          15 數(shù)控閘式剪板機 LGK-13X2500 1 
          16 激光切割機 FOM23015NT 1 
          17 交流弧焊機 KC-5005 1 
          18 氬弧焊機 WSE-315 1 
          19 氬弧焊機 WS300S 1 
          20研發(fā)檢測中心(3 層/4 層)粉料合成 SiC 單晶生長爐 非標自制 30 新增 
          21晶體生長SiC 單晶生長爐 非標自制 70 新增 
          22 快速升溫熱處理爐 1700℃;10℃/s 3 新增 
          23 晶體退火爐真空度:<1x10^-2Pa,退火溫度:>1200 度3 新增 
          24晶體加工切割 
          金剛石多線切割機 
          MWS-612DR,速度1000m/min 1 新增 
          25 晶圓綁定機EVG 560HBL;溫度>600℃;1 新增 
          26 晶體滾圓機Scc-150, 精度:±0.1mm2 新增 
          27 倒角機外圓磨削線速度:2500m/min1 新增 
          28 研磨雙面研磨機Usp-22b,最大 6 英寸2 新增 
          29 端面研磨機 Scy-150,2-6 英寸 2 新增 
          30 拋光雙面拋光機 Usp-20bp,6 英寸 2 新增 
          31 化學機械拋光機 Srpm-19a,55rpm 2 新增 
          32清洗 
          晶圓清洗機 
          日本 SCC,SWS-1000 
          水流量 1.5L/min;氮 
          氣烘干溫度:300℃1 新增 
          33 雙面刷片清洗 日本 SCC, SWS-200 3 新增 
          34 全自動甩干機 2500rpm 2 新增 
          35實驗檢驗 
          全自動晶片定向儀 型號:2991F2 1 新增 
          36 自動表面缺陷分析系統(tǒng) CANDELA CS20 1 新增 
          37 表面顆粒度測試儀 Surfscan 6420 1 新增 
          38 表面電阻率測試儀 LEI1510RP 1 新增 
          39 體式顯微鏡 Leica M205 A 型 1 新增 
          40 平坦度測試儀 FM-200 1 新增 

          本項目主要經(jīng)濟技術指標表 
          序號 指 標 單位 數(shù)量 備注 
          1 產(chǎn)品方案 
          1.1 SiC 關鍵設備 臺/a 100 
          1.2 高純 SiC 粉料 t/a 15 產(chǎn)品 10t/a,自用 5t/a 
          1.3 6 英寸 N 型 SiC 單晶襯底 片/a 50000 
          1.4 4 英寸高純半絕緣 SiC 單晶襯底 片/a 10000 
          2 主要原料消耗指標 
          2.1 鋼材 t/a 1300 機加年用量 
          2.2 碳粉 t/a 5.2 純度>99.999% 
          2.3 硅粉 t/a 11.0 純度>99.999% 
          2.4 籽晶 6 寸 N 型 1200 片/a 
          2.5 籽晶 4 寸 N 型 500 片/a 
          3 主要輔料消耗指標 
          3.1 石墨坩堝 套 920 用于粉料合成、晶體生長 
          3.2 高純氬氣 瓶/a 800 50L 鋼瓶 
          3.3 高純氫氣 瓶/a 50 50L 鋼瓶 
          3.4 高純氮氣 瓶/a 50 50L 鋼瓶 
          3.5 保溫材料 套 400 高純石墨氈 
          3.6 金剛石單晶微粉 t/a 2.4 1μm 
          3.7 金剛石多晶微粉 t/a 1.5 1μm 
          3.8 粗拋光布 片/a 3000 
          3.9 精拋光布 片/a 100 
          3.10 拋光游星輪 片/a 3000 
          3.11 吸附墊 片/a 3000 
          3.12 晶圓盒 盒/a 60000 4 寸,6 寸 
          3.13 金剛石粉 Kg/a 750 
          3.14 MOS 硫酸 L/a 2400 15L/槽,1~2d 更換 1 槽 
          3.15 MOS 氫氟酸 L/a 160 1L/槽,1~2d 更換 1 槽 
          3.16 MOS 無水乙醇 L/a 1600 10L/槽,1~2d 更換 1 槽 
          3.17 拋光液 L/a 54000 
          3.18 金剛石切割線 km/a 21000 線徑 0.25mm 
          4 總投資 萬元 46760 
          4.1 環(huán)保投資 萬元 81.5 
          5 全廠定員 人 52 現(xiàn)有職工抽調(diào)解決 

          建設單位:中國電子科技集團公司第二研究所

          標簽: 空壓機招標擬建  

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